Leqtique EVR RFD

2025年、Roger EVRを開発する過程にてPower Amplifier ICの活用方法について、どうしても別路線で試したいことがありました。それは自分が歪みのエフェクター設計において長年1番の可能性を感じているMOSFET(2013年リリースの9/9(多段D-MOSFET回路など)との組み合わせでした。

MOSFET : (Metal-Oxide-Semiconductor FET)と呼ばれる素子は、1960年頃より登場し始め、もはや真空管の代替ソリューションの一つという範囲のみではなく、我々の現代の生活において、あらゆる製品の電子回路の中に大量に使用されています。高電圧動作、低消費電力、高速スイッチング特性、コンパクトサイズ化などあらゆるメリットがこの素子には含まれており、その形式もこの60年以上の歴史の中で、Lateral/Vertical(横型/縦型)構造、Depletion/Enhancement(ディプリーション/エンハンスメント)モード、Power MOSFET、デュアルゲートMOSFET....あらゆる形式やフォーマットが存在するのですが、特にエフェクターとして活用された例は実はいまだに非常に少ないのです。

2025年現在では"MOSFET"というとその多くが、一般的なオペアンプによる増幅回路の対してのクリッピングで使用されるようなケースの使用方法がエフェクターの中では大半です。ただし、それらは自分の求めるようなMOSFET本来のポテンシャルが発揮されることはなく、実際は純粋にMOSFETのみのディスクリート構成にて、(特に、と言うかほぼ一意的に)慎重にバイアス方法を検討することと合わせることで、ピックのアタックに対しての形容のし難い、心地の良いチューブライクなコンプレッション感、特に2次、3次倍音が理想的な比率で強調された(ただし倍音特性に対しては、モード、バイアス、素子の選択によって大きく変わります)ヴァイオリンライクでずっと奏でていたいような艶感と官能的なサステイン.... といった要素が明らかに実現されることを長期的な探究によって実感していました。

全く同じようなゴールを持った違う方法論として、"Power ICの活用"というものがありますが、こちらはRoger EVRにて完全化されました。自分の研究では現状、あらゆるMOSFETの活用法よりもPower ICでの歪ませ方の方が、アタックの(ms)と言える瞬間以降のサステインの官能性とサチュレーション感に有利です。

つまり、RFDでは、MOSFETいくつかによって生み出される複雑なコンプレックスな倍音特性と、どこまでも心地の良いピックアタックに対するコンプレッションを。そして、後段となるPower ICからは艶のあるサステインとギターのボリュームに対する完全な反応性(これはMOSFETのセクションも同様です)を組み合わせることで、いわゆる"Violin Tone"と呼ばれるあの、ずっと聴いていられる(弾いていられる)ような官能性を生み出す、という点をかなり強い意志を持ったプロジェクトとして進められました。

星の数ほどあるMOSFETですが今回は、Enhancement Modeのものより(MOSFETのほとんどがこちらになります)、同じように繊細で、グラッシーな艶感を備えているようなものをいくつか組み合わせました。それらの全てが、エフェクターデザインで用いられたことはおそらく無く、設計の初期段階より非常にユニークなサウンドとなっていました。

最初にRogerを設計したコンセプトと同じように、非常コンセプチュアルな今回のモデルですが、同時期に設計をしていたRoger EVRでの知見を活かした必要最低限のトーンシェイピングの"Treble"と、サウンドに対しての可変性の高い"Low-Cut"(ストーリーはこちらをご覧ください)を2つのEQとして備えています。

"Vol"はRoger(EVR)と同じようなディスクリート構成(Power ICをそのように見立てることが可能)由来の広い可変域のため、非常に多くのブーストが可能です。"Gain"は、0の段階からすでにローゲインのODの範囲と言えるようなスムースなコンプレッション感と、ミドルの艶感を持ちます。時計回りに回していくことで本機のコンセプトである"Violin Tone"と感ずるような、ゲイン、サチュレーション感が付加されていきます。別の言い方で、Roger(EVR)がOD/DSの中でもどちらかと言うと、DS(ディストーション)のような雰囲気が強かったものを、対となるようなOD(オーバードライブ)と言うことも可能です。非常に似通った、ギターのボリュームに対しての高い反応性も